• Реклама

  • Реклама


  • Новости сайта
  • Приказ ГТК РФ от 31.01.1997 N 43 (ред. от 07.05.2004) "О ТН ВЭД СНГ И О ВНЕСЕНИИ ИЗМЕНЕНИЙ И ДОПОЛНЕНИЙ В ОТДЕЛЬНЫЕ НОРМАТИВНЫЕ АКТЫ ГТК РОССИИ"

    Страница 11


    Страницы: | Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | ... Последняя» |


                 ¦микроконтроллера,  указанных  в  пункте ¦
                 ¦3.1.1.1.3, и имеет длину слова операнда ¦
                 ¦8 бит  или  менее,  то  ее  контрольный ¦
                 ¦статус     должен     определяться    в ¦
                 ¦соответствии с пунктом 3.1.1.1.3.       ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.       ¦Электронные компоненты, такие как:      ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.     ¦Нижеперечисленные          интегральные ¦
                 ¦микросхемы общего назначения:           ¦
                 ¦    Примечания. 1.  Контрольный  статус ¦
                 ¦готовых  пластин или полуфабрикатов для ¦
                 ¦их     изготовления,     на     которых ¦
                 ¦воспроизведена    конкретная   функция, ¦
                 ¦оценивается по параметрам,  указанным в ¦
                 ¦пункте 3.1.1.1.                         ¦
                 ¦    2. Понятие "интегральные     схемы" ¦
                 ¦включает следующие типы:                ¦
                 ¦твердотельные интегральные схемы;       ¦
                 ¦гибридные интегральные схемы;           ¦
                 ¦многокристальные интегральные схемы;    ¦
                 ¦пленочные интегральные  схемы,  включая ¦
                 ¦интегральные  схемы  типа  "кремний  на ¦
                 ¦сапфире";                               ¦
                 ¦оптические интегральные схемы.          ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.1.   ¦Интегральные   схемы,  спроектированные ¦ 8542
                 ¦или   определяемые   как    радиационно ¦
                 ¦стойкие, чтобы выдержать следующее:     ¦
                 ¦а) общую  дозу  5 x 10E3 рад  (кремний) ¦
                 ¦или выше; или                           ¦
                 ¦б) предел мощности   дозы  5 x 10E6 рад ¦
                 ¦(кремний)/с или выше;                   ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.2.   ¦Интегральные схемы         электрически ¦ 8542
                 ¦программируемых постоянных запоминающих ¦
                 ¦устройств  (ЭППЗУ),  программируемые  с ¦
                 ¦ультрафиолетовым      стиранием,      и ¦
                 ¦статических  запоминающих  устройств  с ¦
                 ¦произвольной выборкой (СЗУПВ),  а также ¦
                 ¦интегральные схемы, указанные в пунктах ¦
                 ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10   или  в  пункте ¦
                 ¦3.1.1.1.12,  имеющие любую из следующих ¦
                 ¦характеристик:                          ¦
                 ¦а) работоспособные   при    температуре ¦
                 ¦окружающей     среды      выше    398 K ¦
                 ¦(+125 град. C);                         ¦
                 ¦б) работоспособные   при    температуре ¦
                 ¦окружающей      среды     ниже    218 K ¦
                 ¦(-55 град. C); или                      ¦
                 ¦в) работоспособные     за     пределами ¦
                 ¦диапазона температур  окружающей  среды ¦
                 ¦от 218 K (-55 град. C)      до    398 K ¦
                 ¦(+125 град. C)                          ¦
                 ¦    Примечание. Пункт   3.1.1.1.2    не ¦
                 ¦распространяется  на интегральные схемы ¦
                 ¦для    гражданских    автомобилей     и ¦
                 ¦железнодорожных локомотивов;            ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.3.   ¦Микропроцессорные           микросхемы, ¦
                 ¦микрокомпьютерные      микросхемы     и ¦
                 ¦микросхемы  микроконтроллеров,  имеющие ¦
                 ¦любую из следующих характеристик:       ¦
                 ¦    Примечание.       Пункт   3.1.1.1.3 ¦
                 ¦включает процессоры цифровых  сигналов, ¦
                 ¦цифровые    матричные    процессоры   и ¦
                 ¦цифровые сопроцессоры.                  ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.3.1. ¦Совокупную                теоретическую ¦ 854213550;
                 ¦производительность   (СТП)   260   млн. ¦ 854213690;
                 ¦теоретических    операций   в   секунду ¦ 854214300;
                 ¦(Мтопс)       или        более        и ¦ 854214440;
                 ¦арифметико-логическое    устройство   с ¦ 854219550;
                 ¦длиной выборки 32 бита или более;       ¦ 854219680;
                 ¦                                        ¦ 854240100
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.3.2. ¦Изготовленные на      полупроводниковых ¦ 854213550;
                 ¦соединениях  и  работающие  на тактовой ¦ 854213690;
                 ¦частоте, превышающей 40 МГц; или        ¦ 854214300;
                 ¦                                        ¦ 854214440;
                 ¦                                        ¦ 854219550;
                 ¦                                        ¦ 854219680;
                 ¦                                        ¦ 854240100
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.3.3. ¦Более чем одну шину данных или  команд, ¦ 854213550;
                 ¦или  порт  последовательной  связи  для ¦ 854213690;
                 ¦внешнего межсоединения  в  параллельный ¦ 854214300;
                 ¦процессор    со   скоростью   передачи, ¦ 854214440;
                 ¦превышающей 2,5 Мбит/с                  ¦ 854219550;
                 ¦                                        ¦ 854219680;
                 ¦                                        ¦ 854240100
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.4.   ¦Интегральные схемы              памяти, ¦ 854213550;
                 ¦изготовленные    на   полупроводниковых ¦ 854213670;
                 ¦соединениях;                            ¦ 854213690;
                 ¦                                        ¦ 854214300;
                 ¦                                        ¦ 854214420;
                 ¦                                        ¦ 854214440;
                 ¦                                        ¦ 854219550;
                 ¦                                        ¦ 854219620;
                 ¦                                        ¦ 854219680;
                 ¦                                        ¦ 854240100
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.5.   ¦Интегральные    схемы   для   аналого-  ¦ 854230650;
                 ¦цифровых       и      цифро-аналоговых  ¦ 854230950;
                 ¦преобразователей, такие как:            ¦ 854240900
                 ¦а)   аналого-цифровые  преобразователи, ¦
                 ¦имеющие     любую     из      следующих ¦
                 ¦характеристик:                          ¦
                 ¦1) разрешающую  способность  8  бит или ¦
                 ¦более,  но  меньше  12  бит   с   общим ¦
                 ¦временем преобразования до максимальной ¦
                 ¦разрешающей способности менее 10 нс;    ¦
                 ¦2) разрешающую  способность  12  бит  с ¦
                 ¦общим   временем   преобразования    до ¦
                 ¦максимальной   разрешающей  способности ¦
                 ¦менее 200 нс; или                       ¦
                 ¦3) разрешающую способность более 12 бит ¦
                 ¦с  общим  временем  преобразования   до ¦
                 ¦максимальной   разрешающей  способности ¦
                 ¦менее 2 мкс;                            ¦
                 ¦б) цифро-аналоговые   преобразователи с ¦
                 ¦разрешающей способностью 12 бит и более ¦
                 ¦и  временем  выхода  на  установившийся ¦
                 ¦режим менее 10 нс;                      ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.6.   ¦Электронно-оптические   и    оптические ¦ 8542
                 ¦интегральные   схемы   для    обработки ¦
                 ¦сигналов,   имеющие   одновременно  все ¦
                 ¦перечисленные составляющие:             ¦
                 ¦а) один внутренний  лазерный  диод  или ¦
                 ¦более;                                  ¦
                 ¦б) один внутренний  светочувствительный ¦
                 ¦элемент или более; и                    ¦
                 ¦в) оптические волноводы;                ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.7.   ¦Программируемые пользователем   матрицы ¦ 854213740;
                 ¦логических    ключей     на     полевых ¦ 854214650
                 ¦транзисторах,    имеющие    любую    из ¦
                 ¦следующих характеристик:                ¦
                 ¦а) эквивалентное   количество    годных ¦
                 ¦вентилей  более  30000  (в пересчете на ¦
                 ¦двухвходовые); или                      ¦
                 ¦б) типовое   время  задержки  основного ¦
                 ¦логического элемента менее 0,4 нс;      ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.8.   ¦Программируемые           пользователем ¦ 854213740;
                 ¦логические       матрицы        полевых ¦ 854214650;
                 ¦транзисторов,  имеющие  хотя бы одну из ¦ 854219740
                 ¦следующих характеристик:                ¦
                 ¦а) эквивалентное   количество    годных ¦
                 ¦вентилей  более  30000  (в пересчете на ¦
                 ¦двухвходовые); или                      ¦
                 ¦б) частоту   переключения,  превышающую ¦
                 ¦133 МГц;                                ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.9.   ¦Интегральные схемы для нейронных сетей; ¦ 8542
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.10.  ¦Заказные интегральные схемы,  у которых ¦ 854213720;
                 ¦функция неизвестна  либо  производителю ¦ 854214600;
                 ¦неизвестно,     распространяется     ли ¦ 854219720;
                 ¦контрольный  статус  на  аппаратуру,  в ¦ 854230;
                 ¦которой   будут  использоваться  данные ¦ 854240
                 ¦интегральные схемы,  имеющие  любую  из ¦
                 ¦следующих характеристик:                ¦
                 ¦а) свыше 208 выводов;                   ¦
                 ¦б) типовое  время  задержки   основного ¦
                 ¦логического элемента менее 0,35 нс; или ¦
                 ¦в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц;  ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.11.  ¦Цифровые интегральные            схемы, ¦ 8542
                 ¦отличающиеся  от  указанных  в  пунктах ¦
                 ¦3.1.1.1.3  -  3.1.1.1.10  и 3.1.1.1.12, ¦
                 ¦созданные   на    основе    какого-либо ¦
                 ¦полупроводникового соединения и имеющие ¦
                 ¦любую из следующих характеристик:       ¦
                 ¦а) эквивалентное   количество    годных ¦
                 ¦вентилей  более  300  (в  пересчете  на ¦
                 ¦двухвходовые); или                      ¦
                 ¦б) частоту   переключения,  превышающую ¦
                 ¦1,2 ГГц;                                ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.1.12.  ¦Процессоры быстрого      преобразования ¦ 854213550;
                 ¦Фурье,  имеющие  любую   из   следующих ¦ 854213610;
                 ¦характеристик:                          ¦ 854213630;
                 ¦а) расчетное      время      выполнения ¦ 854213650;
                 ¦комплексного  1024-точечного   быстрого ¦ 854213670;
                 ¦преобразования Фурье менее 1 мс;        ¦ 854213690;
                 ¦б) расчетное      время      выполнения ¦ 854214300;
                 ¦комплексного    N-точечного    сложного ¦ 854214420;
                 ¦быстрого     преобразования      Фурье, ¦ 854214440;
                 ¦отличного от 1024-точечного, менее, чем ¦ 854219550;
                 ¦Nlog2N/10240 мс,  где N - число  точек; ¦ 854219620;
                 ¦или                                     ¦ 854219680;
                 ¦в) производительность         алгоритма ¦ 854240100
                 ¦"бабочка" более 5,12 МГц                ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.2.     ¦Компоненты микроволнового           или ¦
                 ¦миллиметрового диапазона, такие как:    ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.2.1.   ¦Нижеперечисленные электронные вакуумные ¦
                 ¦лампы и катоды:                         ¦
                 ¦    Примечание. По пункту 3.1.1.2.1  не ¦
                 ¦контролируются лампы, разработанные или ¦
                 ¦спроектированные    для    работы     в ¦
                 ¦стандартном       диапазоне      частот ¦
                 ¦гражданских     телекоммуникаций,     с ¦
                 ¦частотами, не превышающими 31 ГГц.      ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.2.1.1. ¦Лампы бегущей  волны  импульсного   или ¦ 854079000
                 ¦непрерывного действия, такие как:       ¦
                 ¦а) работающие на частотах,  превышающих ¦
                 ¦31 ГГц;                                 ¦
                 ¦б) имеющие  элемент подогрева катода со ¦
                 ¦временем от включения до  выхода  лампы ¦
                 ¦на  предельную  радиочастотную мощность ¦
                 ¦менее 3 с;                              ¦
                 ¦в) лампы  с  сопряженными  резонаторами ¦
                 ¦или их модификации с мгновенной шириной ¦
                 ¦полосы   частот   более  7%  или  пиком ¦
                 ¦мощности, превышающим 2,5 кВт;          ¦
                 ¦г) спиральные лампы или их модификации, ¦
                 ¦имеющие     любую     из      следующих ¦
                 ¦характеристик:                          ¦
                 ¦1) мгновенную ширину полосы более одной ¦
                 ¦октавы  и произведение средней мощности ¦
                 ¦(выраженной в кВт) на  рабочую  частоту ¦
                 ¦(выраженную в ГГц) более 0,5;           ¦
                 ¦2) мгновенную  ширину  полосы  в   одну ¦
                 ¦октаву или менее и произведение средней ¦
                 ¦мощности (выраженной в кВт) на  рабочую ¦
                 ¦частоту (выраженную в ГГц) более 1; или ¦
                 ¦3) годные для применения в космосе;     ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.2.1.2. ¦СВЧ-приборы - усилители   магнетронного ¦ 854071000
                 ¦типа  с  коэффициентом  усиления  более ¦
                 ¦17 дБ;                                  ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.2.1.3. ¦Импрегнированные катоды,  разработанные ¦ 854099000
                 ¦для электронных ламп,  имеющие любую из ¦
                 ¦следующих характеристик:                ¦
                 ¦а) время   выхода  на  уровень  эмиссии ¦
                 ¦менее 3 с; или                          ¦
                 ¦б) плотность   тока   при   непрерывной ¦
                 ¦эмиссии     и     штатных      условиях ¦
                 ¦функционирования, превышающую           ¦
                 ¦5 А/кв. СМ                              ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.2.2.   ¦Микроволновые интегральные   схемы  или ¦ 854230;
                 ¦модули,    содержащие     твердотельные ¦ 854240;
                 ¦интегральные   схемы,   работающие   на ¦ 854250000
                 ¦частотах свыше 3 ГГц                    ¦
                 ¦    Примечание. По пункту  3.1.1.2.2 не ¦
                 ¦контролируются схемы     или     модули ¦
                 ¦оборудования,   спроектированного   для ¦
                 ¦работы  в  стандартном диапазоне частот ¦
                 ¦гражданской    телекоммуникации,     не ¦
                 ¦превышающем 31 ГГц;                     ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.2.3.   ¦Микроволновые              транзисторы, ¦ 854121;
                 ¦предназначенные для работы на частотах, ¦ 854129
                 ¦превышающих 31 ГГц;                     ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.2.4.   ¦Микроволновые твердотельные  усилители, ¦ 854389900
                 ¦имеющие     любую     из      следующих ¦
                 ¦характеристик:                          ¦
                 ¦а) работающие    на   частотах    свыше ¦
                 ¦10,5 ГГц  и имеющие  мгновенную  ширину ¦
                 ¦полосы частот более пол-октавы;         ¦
                 ¦б) работающие на частотах свыше 31 ГГц; ¦
                 ¦                                        ¦
    3.1.1.2.5.   ¦Фильтры с   электронной  или  магнитной ¦ 854389900
                 ¦настройкой,   содержащие   более   пяти ¦
                 ¦настраиваемых              резонаторов, ¦
                 ¦обеспечивающих   настройку   в   полосе ¦
                 ¦частот  с  соотношением  максимальной и ¦
                 ¦минимальной  частот  1,5:1  (fmax/fmin) ¦
                 ¦менее  чем  за 10 мкс, имеющие любую из ¦
                 ¦следующих составляющих:                 ¦
                 ¦а) полосовые  фильтры,  имеющие  полосу ¦
                 ¦пропускания   частоты   более  0,5%  от ¦
                 ¦резонансной частоты; или                ¦
                 ¦б) заградительные    фильтры,   имеющие ¦
                 ¦полосу подавления  частоты  менее  0,5% ¦
                 ¦от резонансной частоты;                 ¦

    Страницы: | Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | ... Последняя» |


    Архив правовых актов
  • Реклама
 
  • Реклама
  • Счетчики

  • Рейтинг@Mail.ru
  • Новости